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J-GLOBAL ID：201902264416339786   整理番号：19A2664493

ZnリッチCu_2zn_4吸収層におけるMoSe_2形成に関するZn/Sn比の機構研究【JST・京大機械翻訳】

Mechanism study of Zn/Sn ratio on the MoSe₂ formation in Zn-rich Cu₂ZnSnSe₄ absorber layer

著者 (2件)： Lin Yi-Cheng (Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan) ,  Hsu Ya-Ru (Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 19  ページ： 17540-17546  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnSe_4(CZTS)薄膜太陽電池における界面MoSe_2層の厚さを制御することは,デバイス性能に重大な影響を及ぼすことができる。CZTS太陽電池の吸収層におけるZn/Sn比はセレン化後のMoSe_2の厚さに著しく影響した。しかしながら,基礎となる機構は不明のままである。本研究では,高速冷却セレン化システムを用いて,相変態を研究し,CZTS吸収体層の裏面を解析し,Zn/Sn比がMoSe_2吸収体層の厚さに影響する機構を特性化した。実験により,セレン化中のCZTS吸収層の底における種々の金属-セレン化物相の形成を明らかにした。400°C以下の温度では,これは主にSn-およびCuSn-セレン化物を含む;450°C以上では,これは主にCu-およびZn-セレン化物を含む。MoSe_2は450°C以上で著しく成長するので,Cu-およびZn-セレン化物はMoSe_2の厚さを減少させる主な理由である。MoSe_2成長が一般的に450°C以上で起こるという事実は,より高いZn/Sn比がより多くのZn-セレン化物の形成をもたらし,MoSe_2の形成に利用できるSeが少なく,より薄い層をもたらすことを意味する。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セレン ,  *亜鉛 ,  *スズ ,  界面 ,  セレン化物 ,  高速冷却 ,  太陽電池 ,  吸収体 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： セレン化反応 ,  CZTS ,  二層 ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  吸収層 ,  SN比 ,  研究