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J-GLOBAL ID：201902264982405197   整理番号：19A1413704

Ti/HfO_xベース1T1RバイポーラRRAMのスケーラビリティと信頼性問題:発生,緩和,および解決策【JST・京大機械翻訳】

Scalability and reliability issues of Ti/HfO_x-based 1T1R bipolar RRAM: Occurrence, mitigation, and solution

著者 (7件)： Rahaman Sk. Ziaur (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Lee Heng-Yuan (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Chen Yu-Sheng (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Lin Yu-De (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Chen Pang-Shiu (Department of Materials and Chemical Engineering, MingShin University of Science and Technology, Hsinchu 304, Taiwan) ,  Chen Wei-Su (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Wang Pei-Hua (Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 21  ページ： 213501-213501-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケーラビリティと信頼性の問題は抵抗スイッチングメモリ(RRAM)技術の開発のための最も支配的な障害である。Ti/HfO_xベースのフィラメント型バイポーラRRAMの現在のCMOS技術との優れたメモリ性能とプロセス適合性のために,そのスケーラビリティと信頼性問題をこの文書において研究した。この目的に向けて,トランジスタとメモリセルの間に明確な相関が存在することを実証した。これは,トランジスタの動作電流とサイズ,およびTi/HfO_xベースの1T1RバイポーラRRAMの性能に関するスケーリングを最終的に制限する。相補的抵抗スイッチング間のスイッチング挙動の類似性,すなわち,単一メモリスタックにおけるCRSとバイポーラ抵抗スイッチングにより,Ti/HfO_xベースのバイポーラRRAMは抵抗ピン止め(RP)問題を被り,一方,第一RESET動作中の最小抵抗は常に20kΩ以下になる。これは,FORMINGプロセスの間のトランジスタとメモリセルの間の相互作用を通して起こる。しかし,十分に低いFORMING電圧は,Ti/HfO_xベースのバイポーラRRAMで起こるRP問題を緩和することができ,HfO_x誘電体上の代替Taバッファ層を提案して,FORMINGプロセスの間のメモリセルにおける自己CRSの活性化を防止した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 適応性 ,  誘電体 ,  タンタル ,  スイッチング ,  電流 ,  相互作用 ,  記憶素子 ,  フィラメント ,  電圧 ,  *信頼性 ,  トランジスタ ,  バッファ層
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  *バイポーラ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  バイポーラ ,  RRAM ,  スケーラビリティ ,  緩和 ,  解決策