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J-GLOBAL ID：201902265015519367   整理番号：19A1647520

単一分子電界効果トランジスタにおけるDirac円錐誘起ゲーティング増強【JST・京大機械翻訳】

Dirac-cone induced gating enhancement in single-molecule field-effect transistors

著者 (10件)： Sun Hantao (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Xunshan ,  Su Yanjie ,  Deng Bing ,  Peng Hailin ,  Decurtins Silvio ,  Sanvito Stefano ,  Liu Shi-Xia ,  Hou Shimin ,  Liao Jianhui
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 27  ページ： 13117-13125  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンを電極として用いると,室温で動作する安定な単分子電界効果トランジスタ(FET)を作製する機会が得られる。しかし,単一分子素子の電荷輸送における独特のグラフェンバンド構造の役割はまだ明らかではない。ここでは,グラフェン電極と固体の局所ボトムゲートを持つ単一分子FETにおけるDirac円錐誘起静電ゲート効果を報告する。支配的な伝導チャネルとして最も高い占有分子軌道(HOMO)を有し,グラフェンはゼロゲート電圧で本質的に残留し,HOMO上での静電ゲーティングと負のゲート極性でのグラフェンの状態密度が互いに強化され,コンダクタンス変調が増強された。対照的に,正のゲート極性でのHOMOとグラフェン状態へのゲート効果は反対であった。ゲーティング効率に依存して,より正のゲート電圧を印加すると,コンダクタンスは減少し,増加するか,またはほとんど変化しない。著者らの観測は,Dirac点近傍のグラフェンの線形分散を考慮した修正単一準位モデルにより良く理解できる。Dirac円錐増強ゲートを持つ単一分子FETは,広い範囲の電流を1桁以上の変調で高性能を示した。著者らの研究は,分子デバイスのための電極材料としてグラフェンを使用する利点を強調し,回路応用に向けた単一分子FETの道を開く。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  バンド構造 ,  電流 ,  グラフェン ,  線形性 ,  チャネル ,  コンダクタンス ,  HOMO ,  極性 ,  状態密度 ,  分子素子 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  電荷輸送 ,  *ゲーティング ,  *単一分子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単一分子 ,  電界効果トランジスタ ,  Dirac円錐 ,  誘起 ,  ゲーティング ,  増強