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J-GLOBAL ID：201902265016276850   整理番号：19A2268992

非晶質シリコンナノカンチレバーのElectronビーム強化クリープ変形【JST・京大機械翻訳】

Electron-beam enhanced creep deformation of amorphous silicon nano-cantilever

著者 (4件)： Hirakata Hiroyuki (Department of Mechanical Engineering and Science, Kyoto University, Kyoto-daigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Konishi Kenta (Department of Mechanical Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kondo Toshiyuki (Department of Mechanical Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Minoshima Kohji (Department of Mechanical Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 10  ページ： 105102-105102-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコン(a-Si)ナノカンチレバーのクリープ特性とそれらの特性に及ぼす電子ビーム(EB)照射の影響を調べるために,室温で電界放出走査電子顕微鏡を用いてEB照射の有無によるクリープ曲げ実験を行った。約220nm厚のa-Siナノカンチレバーを,基板形状支援斜め蒸着により制御された形状とサイズで作製した。結果は,EB照射が破壊強度を増加させ,a-Siナノカンチレバーのクリープ変形を大きく強化することを示した。EB照射下で,a-Siナノカンチレバーは,遷移,定常状態,再減速領域から成る連続クリープ挙動を示し,一方,クリープ変形は,非照射下での断続的変位バーストによりもたらされた。EB照射は,非照射下でのn=5.55からEB照射下でのn=2.46へのクリープ指数nの減少をもたらし,クリープ機構の変化を示した。クリープ抵抗はEB照射の停止により回復し,クリープ特性の変化は一時的であることを示した。これは,クリープ特性のようなa-Siナノ構造の機械的性質がEB照射により一時的に変化することを示唆している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 破壊強さ ,  *クリープ ,  *アモルファスシリコン ,  電子ビーム ,  ナノ構造 ,  バースト ,  機械的性質
準シソーラス用語： 耐クリープ性 ,  クリープ挙動 ,  定常状態 ,  斜め蒸着 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  クリープ特性 ,  *ナノカンチレバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質シリコン ,  ナノカンチレバー ,  ビーム ,  強化 ,  クリープ変形