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J-GLOBAL ID：201902265066688802   整理番号：19A1555497

低出力カンチレバーベース金属酸化物半導体ガスセンサ【JST・京大機械翻訳】

A Low Power Cantilever-Based Metal Oxide Semiconductor Gas Sensor

著者 (6件)： Xie Dongcheng (School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China) ,  Chen Dongliang (School of Information Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei, China) ,  Peng Shufeng (School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China) ,  Yang Yujie (School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China) ,  Xu Lei (School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China) ,  Wu Feng (School of Information Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 7  ページ： 1178-1181  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターは,初めて,単一カンチレバーに基づく新しい金属酸化物半導体(MOS)ガスセンサを報告する。コイルのない極端に簡単な白金マイクロヒータは,10μm幅のカンチレバー上にあり,非常に低い静的電力消費と高速加熱応答を示した。典型的な微小電気機械システム(MEMS)プロセスを用いて4インチSiウエハ上にセンサを作製し,SnO_2をセンシング材料として選択した。試験結果は,静的電力消費がわずか2.96mWであることを示した。この適用電力で,センサは400°Cに達し,加熱時間は260μsである。それらの両方は,細長いビームによって支持された懸濁膜を有するMEMS MOSガスセンサと比較して,非常に改善された。センサは0~10ppmエタノールに対して良好な線形特性を示した。さらに,単一カンチレバー構造により,10個のセンサを1mm~2の金型内に作製でき,一桁の集積化を改善した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  線形性 ,  懸濁液 ,  電力消費 ,  *ガスセンサ ,  白金 ,  *片持梁 ,  *センサ ,  急速加熱 ,  MEMS
準シソーラス用語： 加熱時間 ,  シリコンウエハ ,  マイクロヒータ ,  金属酸化物半導体 ,  低出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低出力 ,  カンチレバー ,  金属酸化物半導体 ,  ガスセンサ