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J-GLOBAL ID：201902265113967134   整理番号：19A0036785

ランダム注入機構に基づくSRAMシングルイベント効果シミュレーション法【JST・京大機械翻訳】

SRAM Single Event Effect Simulation Method Based on Random Injection Mechanism

著者 (5件)： Li Zhi-Bing (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Liu Yi (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Xu Chang-Qing (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Song Lu-Tao (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Wu Han-Peng (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路製造技術の連続的進歩により,SRAMに及ぼす単一イベントアップセット(SEU)の影響はますます深刻である。最初に,TCADツールを用いて,異なるLET値の下で過渡電流を得た。第二に,得られた過渡電流に基づいて,ランダム注入機構を有する故障電流源を構築して,粒子入射時間,入射回路ノード,過渡電流ピークおよび幅のランダム化を,perlスクリプトを通して実現した。最後に,8KビットSRAMに対して,SEU断面積をシミュレーションし,適合させ,得られた飽和SEU断面積は実験データと良く一致した。SRAM周辺回路上の単一イベント過渡(SET)の統計解析により,故障注入法の有効性を検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 故障電流 ,  *SRAM ,  有効性 ,  統計解析 ,  SEU【シングルイベント】 ,  断面積 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： 故障注入 ,  周辺回路 ,  スクリプト ,  過渡電流 ,  TCAD ,  集積回路製造 ,  *SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  SRAM ,  シングルイベント効果 ,  シミュレーション法