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J-GLOBAL ID：201902265148569704   整理番号：19A2652329

高いElectron移動度と広い吸収範囲を有する新しいSb_2Te_3-xSe_x単分子層【JST・京大機械翻訳】

New Sb₂Te_3-xSe_x Monolayers with High Electron Mobilities and Wide Absorption Range

著者 (10件)： Chen Ying (Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China) ,  Wu Yu (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Xu Ke (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Ma Congcong (Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China) ,  Lu Zixuan (Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China) ,  Zhang Xintong (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Zhang Hao (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Zhang Hao (Nanjing University, National Laboratory of Solid State Microstructure, China) ,  Zhu Heyuan (Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Fang Zhilai (Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 40  ページ： 37216-37228  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で高い熱電性能を有する従来の熱電材料として,テルル化アンチモン(Sb_2Te_3)は発電と冷凍のようなエネルギー応用に広く使われてきた。「原子変換」法を採用することによって,α-Sb_2Te_2Se,α-Sb_2TeSe_2,およびβ-Sb_2TeSe_2の3つの新しい種類のSb_2Te_3ベースの単分子層を設計した。それは量子閉じ込め効果のために高い熱電性能を有することが期待される。本研究では,ab initio計算を用いて,3種類の単分子層の電子構造,振動モード,光学的,輸送,および熱電特性を系統的に研究し,それらが700K(α-Sb_2TeSe_2)または900K(α-Sb_2Te_2Seおよびβ-Sb_2TeSe_2)までの化学的および熱力学的安定性を有する間接バンドギャップ半導体材料であることを見出した。バンドギャップは約1.0eVで,価電子帯における5つのほぼ縮退したピークをもつ。3つのSb_2Te_3-xSe_x単層は1000cm2/(Vs)より大きい高い電子移動度を有し,α-Sb_2Te_2Se/α-Sb_2TeSe_2/β-Sb_2TeSe_2の最大zT値は300Kでそれぞれ0.70/0.71/0.65である。光学特性に関して,3つのSb_2Te_3-xSe_x単層は,青色領域から紫外領域まで広い吸収範囲を有した。Sb_2Te_3と比較して,3つの新しい種類の単分子層は,より広い範囲の吸収,より高い移動度,および熱電性能を有し,熱電素子および可飽和吸収体における有望な応用をもたらす可能性がある。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  熱電材料 ,  *移動度 ,  単一層 ,  光学的性質 ,  振動モード ,  バンドギャップ ,  半導体材料 ,  電子構造 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 剪断波速度 ,  間接バンドギャップ ,  熱電特性 ,  第一原理計算 ,  テルル化アンチモン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  熱電材料 ,  DFT計算 ,  キャリア移動度 ,  光学的性質

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 移動度 ,  単分子層