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J-GLOBAL ID：201902265184950107   整理番号：19A1375935

GaNスイッチング回路の放射電磁界計測による寄生素子抽出

著者 (6件)： 井手利英 (産総研 GaN-OIL) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  大森幹夫 (産総研 GaN-OIL) ,  大森幹夫 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産総研 GaN-OIL) ,  高田徳幸 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-PB3-21  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaN電子デバイスは高耐圧・高速動作が可能なことから電圧変換器用のスイッチング素子として有用であり、近年では様々な回路応用が進められている。GaNデバイスを用いてスイッチング回路の周波数を向上させると受動部品の小型化などのメリットを享受でき...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *スイッチ回路 ,  電磁場 ,  *等価回路 ,  濾波器 ,  絶縁耐力 ,  電気変換
準シソーラス用語： GaN ,  *スイッチング回路 ,  電磁界 ,  *寄生素子 ,  LCフィルタ ,  高耐圧 ,  電圧変換

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  スイッチング回路 ,  放射 ,  電磁界 ,  計測 ,  寄生素子