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J-GLOBAL ID：201902265476776637   整理番号：19A1604741

超高電圧CSL pチャネル4H-SiC IGBTの設計と最適化【JST・京大機械翻訳】

Design and Optimization of Ultrahigh Voltage CSL p-channel 4H-SiC IGBT

著者 (9件)： Lu Xiaofei (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China) ,  Tian Xiaoli (Institute of Microelectronics of the Chinses Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Deng Xiaochuan (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China) ,  Bai Yun (Institute of Microelectronics of the Chinses Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Jinping (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China) ,  Li Xuan (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China) ,  Lu Jiang (Institute of Microelectronics of the Chinses Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhu Hao (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China) ,  Zhong Wei (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan Province, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDSSC  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CSL(電流予備層)構造を有する超高電圧pチャネル4H-SiC(炭化ケイ素)IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を設計し,最適化した。IGBTの静的および動的特性を,CSLドーピング濃度N_CSL,CSL厚さD_CSLおよびJFET領域L_JFETの幅を調整することによって改善した。数値シミュレーションを通して,N_CSLが(1-10)~16cm-3であるとき,D_CSLは1.5μm,L_JFETは3μm,ブロッキング電圧は15.6kVに達し,ゲート酸化物電界E_OX,maxは3MV/cm未満である。オン状態電流が10Aのとき,オン状態電圧は8.2Vである。ターンオン時間は約120nsで,ターンオフ時間は5kVのdcリンク電圧で約440nsである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ターンオン ,  *最適化 ,  炭化ケイ素 ,  接合形FET ,  *IGBT ,  電流 ,  *電圧 ,  電場 ,  シミュレーション ,  *チャネル ,  ブロッキング ,  ドーピング
準シソーラス用語： オン状態 ,  数値シミュレーション ,  *UHV【電圧】 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ロボットの運動・制御  (IC04012J) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  チャネル ,  4H-SiC ,  IGBT ,  設計 ,  最適化