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J-GLOBAL ID：201902265564731740   整理番号：19A1414334

低電力応用のためのMOCVDを用いたIMF成長モードによる高品質n型GaSb/GaAsヘテロ構造の成長と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Growth and characterization of high quality N-type GaSb/GaAs heterostructure by IMF growth mode using MOCVD for low power application

著者 (8件)： Hsiao Chih Jen (Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Science and Technology, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Kakkerla Ramesh Kumar (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Chang Po Chun (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Lumbantoruan Franky Juanda (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Lee Tsu Ting (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Lin Yueh Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Chang Shoou Jinn (Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Science and Technology, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 16  ページ： 162108-162108-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属-有機化学蒸着法による界面ミスフィット転位成長モードを用いて,優れた膜品質を有するGaAs基板上の150nm厚GaSb層の成長を実証した。GaAs基板上に成長させたn型GaSbエピ層は,3.2×10~6cm-2の低い貫通転位密度と約0.8nmの表面粗さを有していた。本研究では,1.2×10~17cm-3のキャリア濃度で4600cm~2V~-1s-1までの高いキャリア移動度を達成した。作製したAl_2O_3/GaSb/GaAs MOSCAPは,約2.8%/10年の小さい周波数分散を有する優れた容量-電圧(C-V)特性を示した。この結果は,将来のp型チャネルCMOS応用のためのGaAs上の高移動度Sbベース材料の可能性を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  *アンチモン ,  基板 ,  *MOCVD ,  *キャラクタリゼーション ,  キャリア移動度 ,  不整合転位 ,  *品質 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  表面粗さ ,  キャリア密度 ,  電圧 ,  界面
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： 低電力 ,  応用 ,  MOCVD ,  IMF ,  成長モード ,  高品質 ,  GaSb ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  特性評価