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J-GLOBAL ID:201902265697096641   整理番号:19A1951830

硫化プロセスにより調製した(Cu,Ag)_2SnS_3薄膜へのKF添加の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of KF Addition to (Cu,Ag)2SnS3 Thin Films Prepared by Sulfurization Process
著者 (8件):
資料名:
巻: 216  号: 15  ページ: e1800870  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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(Cu,Ag)_2SnS_3薄膜および太陽電池を,硫黄およびスズ混合雰囲気中でのKF/Sn/(Cu+Ag)積層前駆体の硫化によって調製した。それらの特性を調べた。積層KF/Sn/(Cu+Ag)前駆体を,Cu+Ag,Sn元素およびKFの逐次蒸発により,Mo/ソーダ石灰ガラス基板上に堆積した。蒸発材料のモル比は,(Cu+Ag):Sn=1.0:0.6およびAg/(Cu+Ag)=0.05で一定に保たれ,KF/Cuモル比は0から0.05に変化した。前駆体は,硫黄とスズの混合雰囲気中で570°Cで30分間のアニーリングにより結晶化した。組成はほぼ一定で,KF添加量に対する組成比の依存性は観測されなかった。全ての試料について,X線回折パターンとCATSに対応するRamanスペクトルを得た。KF/Cuモル比がKF/Cu=0.03まで増加すると,V_ocの値は増加した。本研究における最良の太陽電池は,248mVのV_ocを示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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