強い光条件下でのSchottky障壁の表面光起電力の測定  レーザ時間分解極端紫外光電子分光法によるZn/p-Si(100)【JST・京大機械翻訳】

Marsh Brett M.; Vaida Mihai E.; Cushing Scott K.; Lamoureux Bethany R.; Leone Stephen R.; Leone Stephen R.

文献

J-GLOBAL ID：201902265781474715 整理番号：19A1888550

強い光条件下でのSchottky障壁の表面光起電力の測定レーザ時間分解極端紫外光電子分光法によるZn/p-Si(100)【JST・京大機械翻訳】

Measuring the Surface Photovoltage of a Schottky Barrier under Intense Light Conditions: Zn/p-Si(100) by Laser Time-Resolved Extreme Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy

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資料名：
巻： 121 号： 40 ページ： 21904-21912 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金属-半導体ヘテロ接合をAuger及び光電子分光法により調べ,金属膜の構造及び電子特性を特性化し,半導体材料のフェムト秒レーザ励起により誘起された時間分解電子応答を得た。液体窒素温度でp型Si(100)上に堆積した3.5単分子層(ML)Zn膜は層毎に成長した。極端紫外(XUV)光電子分光法による電子構造測定により,膜は金属的であり,3.5ML Zn/p-Si(100)界面にSchottky障壁を形成することを示した。(2.5~6)×10~9W/cm2のポンプ強度で35fs,800nmポンプパルスを用いて,Siを励起し,Znをプローブするために時間遅延極端紫外パルスを用いて,(1.5~4.5)×10~20cm~3のキャリア密度で0.3~2.2eVの大きな過渡表面光起電力シフトを観測した。3つのシフトは,Zn 3dコアレベル,光電子放出開始,および金属Fermi準位を決定した。光電圧はレーザ励起強度と共に増加し,Zn 3dコアレベルはコア準位の顕著な遮蔽により最大の結合エネルギーシフトを示した。高キャリア密度におけるZn/p-Si(100)ヘテロ接合の金属層におけるバンド平坦化とキャリア蓄積のエネルギー論に基づいて,大きな観測シフトを合理化した。観測されたキャリア再結合動力学は,Zn 3dおよび光電子放出開始結合エネルギーシフトの両方に対して,類似の時間定数をもつ特性において双指数関数的である。Zn 3dコアレベルシフトも電子温度に敏感であることが分かった。これらの結果は,コア準位光電子放出が原子価電子動力学の監視に使用でき,ヘテロ接合と多重元素から成る固体における電荷動力学の分離を可能にすることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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コロイド化学一般 , 半導体のルミネセンス

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強い光条件下でのSchottky障壁の表面光起電力の測定 レーザ時間分解極端紫外光電子分光法によるZn/p-Si(100)【JST・京大機械翻訳】

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