文献

J-GLOBAL ID：201902265944543939   整理番号：19A1415889

非極性GaN上の原子層堆積高kの界面特性評価【JST・京大機械翻訳】

Interface characterization of atomic layer deposited high-k on non-polar GaN

著者 (3件)： Jia Ye (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA) ,  Zeng Ke (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA) ,  Singisetti Uttam (Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 15  ページ： 154104-154104-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電体と半導体の間の界面特性は電子デバイスにとって重要である。本研究では,ハイブリッド気相エピタクシーによって成長させた非極性a面(1120)とm面(1100)GaN上の原子層堆積Al_2O_3とHfO_2の間の界面特性の電気的キャラクタリゼーションを報告する。金属酸化物半導体キャパシタ(MOSCAP)構造を用いて界面特性を評価した。界面特性に及ぼすアニーリングの影響も調べた。容量-電圧(C-V)ヒステリシスループによって特性化された酸化物中の境界トラップは低かった。acコンダクタンス法を用いて抽出した界面状態密度(D_it)は,伝導帯最小値以下の0.2eV~0.5eVのエネルギー範囲内で,0.5×10~12/cm~2eV~7.5×10~11/cm~2eVの範囲にあった。m面GaN MOSCAPsは,アニーリング後にa面GaN MOSCAPより良好な界面特性を示した。アニーリングなしで,Al_2O_3誘電体は,HfO_2誘電体と比較して,より高い境界トラップ密度と界面状態密度を有した。しかし,アニーリングはHfO_2と比較してAl_2O_3誘電体に異なる影響を及ぼした。著者らの結果は,アニーリングがHfO_2における界面の品質を劣化させたが,それはAl_2O_3デバイスにおける界面の品質を向上させたことを示した。また,アニーリングは正のトラップされた酸化物電荷を減少させ,正のバイアス領域へのC-V曲線のシフトをもたらした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  *界面 ,  バイアス ,  酸化物 ,  電圧 ,  半導体 ,  焼なまし ,  *非極性 ,  *窒化ガリウム ,  コンダクタンス ,  誘電体 ,  キャラクタリゼーション ,  品質 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： *界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非極性 ,  GaN ,  原子層堆積 ,  界面特性 ,  評価