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J-GLOBAL ID：201902266043182426   整理番号：19A0515191

電場制御磁気ランダムアクセスメモリにおける書き込み誤り率と読出し擾乱【JST・京大機械翻訳】

Write Error Rate and Read Disturbance in Electric-Field-Controlled Magnetic Random-Access Memory

著者 (13件)： Grezes Cecile (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Lee Hochul (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Lee Albert (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Wang Shaodi (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Ebrahimi Farbod (Inston Inc., Los Angeles, CA, USA) ,  Li Xiang (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Wong Kin (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Katine Jordan A. (HGST Inc., San Jose, CA, USA) ,  Ocker Berthold (Singulus Technologies AG, Kahl am Main, Germany) ,  Langer Jurgen (Singulus Technologies AG, Kahl am Main, Germany) ,  Gupta Puneet (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Khalili Amiri Pedram (University of California, Los Angeles, CA, USA) ,  Wang Kang L. (University of California, Los Angeles, CA, USA)
資料名： IEEE Magnetics Letters  (IEEE Magnetics Letters)
巻： 8  ページ： ROMBUNNO.3102705.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2299A  ISSN： 1949-307X  CODEN： IMLEA3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場制御磁気トンネル接合(MTJ)における読出し/書込みパルス幅と振幅の関数としての書込み誤差率と読取擾乱に関する実験結果を報告した。50nm垂直MTJに対して結果を示した。測定したMTJデバイスデータに基づいて,28nm相補型金属-酸化物半導体(CMOS)プロセスにおける256キロビット(Kbit)磁気電気ランダムアクセスメモリ(Meram)マクロの性能を設計し,シミュレーションした。結果は,既存の電場制御MTJが10nsの全書込みに対して10~9以下の書込み誤り率を配信でき,256Kbit Meramアレイにおいて2ns読出し時間に対して10~16以下の時間と読取擾乱を検証することができることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： CMOS ,  *磁気 ,  パルス幅 ,  *誤り率 ,  *RAM【メモリ】
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  磁気トンネル接合 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電場制御 ,  磁気ランダムアクセスメモリ ,  書き込み ,  誤り率 ,  読出し ,  擾乱