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J-GLOBAL ID：201902266070447232   整理番号：19A1888702

Cu_9S_5の第一原理研究:新しいp型導電性半導体【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Study of Cu₉S₅: A Novel p-Type Conductive Semiconductor

著者 (8件)： Peng Zhi (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Li Sibai (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Weng Mouyi (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Zhang Mingjian (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Xin Chao (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Du Zheng (National Supercomputing Center in Shenzhen, People’s Republic of China) ,  Zheng Jiaxin (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China) ,  Pan Feng (School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 42  ページ： 23317-23323  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_9S_5(ダイジェナイト)は,優れた電気伝導率,銅イオンの高い移動度,および高い仕事関数を有するp型半導体である。CdTe太陽電池のバック電極として使用したとき,高電力変換効率(PCE)を得た。密度汎関数理論(DFT)法を用いて,本研究におけるCu_9S_5の構造的および電子的性質を研究した。計算したバンド構造から,Cu_9S_5のFermi準位が価電子帯最大(VBM)より約0.08eV低い価電子帯をわずかに横切り,p型半導体として高い正孔濃度と高い電気伝導率を示すことを見出した。また,Cu_9S_5の結晶構造は,いくつかのCu原子が拡散して安定で,p型ドーピング効果を導入することがわかった。最後に,バック電極としてCu_9S_5を有するCdTe太陽電池が高PCEを示す理由に関する定量的議論を与えた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *導電性 ,  電気伝導率 ,  太陽電池 ,  価電子バンド ,  仕事関数 ,  *第一原理 ,  Fermi準位 ,  密度汎関数法 ,  テルル化カドミウム ,  結晶構造 ,  *銅 ,  *半導体 ,  移動度
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  銅イオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 第一原理 ,  研究 ,  導電性