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J-GLOBAL ID：201902266564754279   整理番号：19A2223839

SiとGeにおける転位に沿った電荷キャリアの輸送【JST・京大機械翻訳】

Transport of Charge Carriers along Dislocations in Si and Ge

著者 (10件)： Kittler Martin (Brandenburg University of Technology, Erich-Weinert-Str. 1, 03046, Cottbus, Germany) ,  Kittler Martin (IHP Microelectronics, PF 1466, 15204, Frankfurt (Oder), Germany) ,  Reiche Manfred (CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany) ,  Schwartz Bernhard (Brandenburg University of Technology, Erich-Weinert-Str. 1, 03046, Cottbus, Germany) ,  Schwartz Bernhard (IHP Microelectronics, PF 1466, 15204, Frankfurt (Oder), Germany) ,  Uebensee Hartmut (CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany) ,  Kosina Hans (Institute of Microelectronics, Vienna University of Technology, Gusshausstr. 27-29, 1040, Vienna, Austria) ,  Stanojevic Zlatan (Global TCAD Solutions, Bosendorferstr. 1/12, 1010, Vienna, Austria) ,  Baumgartner Oskar (Global TCAD Solutions, Bosendorferstr. 1/12, 1010, Vienna, Austria) ,  Ortlepp Thomas (CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 17  ページ： e1900287  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験観察と量子力学デバイスシミュレーションは,シリコンとゲルマニウムの転位の異なる電子的性質を示した。実験データはSi中の転位の超金属挙動を示唆し,転位コア中の高歪は電荷キャリアの閉込めを引き起こし,転位(量子細線)に沿った1D電子ガスの形成をもたらすと考えられる。結果としての電子濃度の著しい増加は,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のドレイン電流の著しい増加に対応する。Ge中の個々の転位の比抵抗はSi中の転位よりも約9桁高い。Ge中の転位コアにおける歪の実験的測定はまだ欠けている。バンド構造データに基づいて,Si中の転位コアのそれと等価な歪の発生は,間接から直接半導体への遷移のために非常に困難であるように思われる。ゲルマニウム中の転位コアにおけるより低い歪は,シリコンの転位コアに対して提案されたようにキャリア閉じ込めを支持しない可能性があり,その結果,1D電子ガスはGe中の転位に沿って形成すると期待されない。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子細線 ,  量子論 ,  一次元 ,  酸化物 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  電気抵抗率 ,  MOSFET ,  バンド構造 ,  電子ガス ,  半導体
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  転位芯 ,  デバイスシミュレーション ,  *電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 転位 ,  電子特性 ,  ゲルマニウム ,  シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  転位 ,  電荷キャリア ,  輸送