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J-GLOBAL ID：201902266565722800   整理番号：19A0491323

高引張歪Ge導波路における拡張欠陥伝搬【JST・京大機械翻訳】

Extended Defect Propagation in Highly Tensile-Strained Ge Waveguides

著者 (15件)： Qi Meng (Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Qi Meng (Uber, San Francisco, CA 94103, USA) ,  O’Brien William A. (Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  O’Brien William A. (Rigetti Quantum Computing, 775 Heinz Avenue, Berkeley, CA 94710, USA) ,  Stephenson Chad A. (Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Stephenson Chad A. (Sandia National Laboratory, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  Patel Victor (Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Patel Victor (Sandia National Laboratory, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  Cao Ning (Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Thibeault Brian J. (Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Schowalter Marco (Institute of Solid State Physics, University Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, Bremen 28359, Germany) ,  Rosenauer Andreas (Institute of Solid State Physics, University Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, Bremen 28359, Germany) ,  Protasenko Vladimir (Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York, NY 14853, USA) ,  Xing Huili (Grace) (Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York, NY 14853, USA) ,  Wistey Mark A. (Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 6  ページ： 157  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 引張歪GeはSi集積回路用の可能なレーザ材料であるが,引張Geを用いたレーザの報告は高い閾値電流密度と短い寿命を示す。これらの欠点の起源を調べるために,応力ライナーとして最大2GPaの応力をもつ圧縮窒化ケイ素(SiNx)膜を用いて,三次元の引張歪を持つGeリッジ導波路を作製した。三角形断面を持つ導波路に対する3.6%の静水圧引張歪に対応して,11cm-1までのRamanピークシフトが観測された。引張歪Geにおける実時間劣化を観察し,透過型電子顕微鏡(TEM)下で研究した。暗線欠陥に似た欠陥のネットワークを観察し,速度と密度がモデル化と測定した歪プロファイルから抽出した局所歪と強く相関することを示した。この劣化は,高張力歪Geレーザが,類似のGaAsまたはInGaAs量子井戸レーザよりも著しく短い寿命を持つ可能性があることを示唆している。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光導波路 ,  *引張 ,  電子顕微鏡観察 ,  ヒ化ガリウム ,  三次元 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  集積回路 ,  静水圧 ,  *ゲルマニウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  レーザ ,  モデリング ,  窒化ケイ素 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 局所歪 ,  *引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 歪んだゲルマニウム ,  応力ライナー ,  引張歪 ,  直接バンドギャップ ,  暗線欠陥 ,  光導波路 ,  安定性 ,  シリコンフォトニクス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (37件)：

• Qi, M.; O’Brien, W.A.; Stephenson, C.A.; Cao, N.; Thibeault, B.J.; Wistey, M.A. Stability of Tensile-Strained Ge Studied by Transmission Electron Microscopy. In Proceedings of the International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), Berkeley, CA, USA, 4-6 June 2012.
• Liu, J.; Sun, X.; Camacho-Aguilera, R.; Kimerling, L.C.; Michel, J. Ge-on-Si laser operating at room temperature. Opt. Lett. 2010, 35, 679-681.
• Lieten, R.R.; Bustillo, K.; Smets, T.; Simoen, E.; Ager, J.W.; Haller, E.E.; Locquet, J.-P. Photoluminescence of bulk germanium. Phys. Rev. B 2012, 86, 035204.
• Yang, H.S.; Malik, R.; Narasimha, S.; Li, Y.; Divakaruni, R.; Agnello, P.; Allen, S.; Antreasyan, A.; Arnold, J.C.; Bandy, K.; et al. Dual Stress Liner for High Performance Sub-45 nm Gate Length SOI CMOS Manufacturing. In Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, USA, 13-15 December 2004; pp. 1075-1077.
• Vincent, B.; Gencarelli, F.; Lin, D.; Nyns, L.; Richard, O.; Bender, H.; Douhard, B.; Moussa, A.; Merckling, C.; Witters, L.; et al. Biaxial and Uniaxial Compressive Stress Implemented in Ge(Sn) pMOSFET Channels by Advanced Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Developments. ECS Trans. 2011, 41, 239-248.

タイトルに関連する用語 (5件)： 引張歪 ,  Ge ,  導波路 ,  拡張欠陥 ,  伝搬