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J-GLOBAL ID：201902266796631954   整理番号：19A1415619

超高次走査非線形誘電顕微鏡を用いた局所深準位過渡分光法とSiO_2/SiC界面トラップの二次元分布イメージングへの応用【JST・京大機械翻訳】

Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy and its application to imaging two-dimensional distribution of SiO₂/SiC interface traps

著者 (2件)： Chinone N. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Cho Y. (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 10  ページ： 105701-105701-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物/半導体界面トラップを解析するために走査非線形誘電顕微鏡を利用し,熱酸化した炭化ケイ素ウエハを調べることによりこの方法を検証するために,局所深準位過渡分光法(局所DLTS)と呼ばれる新しい技術を提案した。C-t曲線の測定により,トラップ密度における試料間の差を識別する能力を実証した。さらに,時間定数と局所DLTS信号強度のDCバイアス依存性を調べ,結果は界面トラップの特性と一致した。さらに,調べた試料に対するD_it値を局所DLTS信号から推定し,従来の高-低法を用いて得られた結果と比較した。比較により,2つの方法によって得られたD_it値が同じ桁であることを明らかにした。最後に,局所DLTS信号の二次元(2D)分布を得て,それはランダム2Dパターンをもたらす実質的強度変化を示した。局所DLTS信号の2D分布は時間定数に依存し,これは異なる捕獲断面積をもつ複数のトラップの共存に起因すると思われる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元 ,  *炭化ケイ素 ,  *走査 ,  *深準位過渡分光法 ,  *画像処理 ,  炭化 ,  半導体 ,  酸化物 ,  熱酸化
準シソーラス用語： 捕獲断面積 ,  バイアス依存性 ,  信号強度 ,  トラップ密度 ,  シリコンウエハ ,  *界面トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 走査 ,  非線形 ,  顕微鏡 ,  深準位過渡分光法 ,  SiC ,  界面トラップ ,  分布 ,  イメージング ,  応用