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J-GLOBAL ID:201902266918016413   整理番号:19A1381191

IGBTウエハのインライン状態監視のためのAR支援スマートセンシング【JST・京大機械翻訳】

AR-Aided Smart Sensing for In-Line Condition Monitoring of IGBT Wafer
著者 (9件):
資料名:
巻: 66  号: 10  ページ: 8197-8204  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0234A  ISSN: 0278-0046  CODEN: ITIED6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)ウエハのインライン状態監視のための拡張現実(AR)支援スマートセンシング技術について述べた。一連の信号処理アルゴリズムをセンサ知能を可能にするために適用した。電磁赤外-可視融合(IVF)に基づいて,補足的な触知可能な三次元サーモグラフィ層を,実際の世界環境におけるIGBTウエハと統合した。IVFの前に,独立成分分析を実装してウエハの欠陥を同定した。提案したAR支援スマートセンシング技術は,産業システムと周辺世界の間のユーザの認識と相互作用を強化する。従来のセンサ技術とは対照的に,それは非破壊試験と評価に基づくハイスループットインライン状態監視法を提供する。このスマートセンシング技術の非接触と時間効率の利点は,管理と生産効率に大きな利益をもたらす可能性がある。AR支援スマートセンシングは,電力電子材料およびデバイスの生産性,品質および信頼性,ならびに他の産業応用を改善することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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