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J-GLOBAL ID：201902267362680748   整理番号：19A1376628

シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(14)NO対系の赤外吸収と熱処理挙動

著者 (4件)： 井上直久 (東京農工大 工) ,  井上直久 (大阪府大) ,  川又修一 (大阪府大) ,  奥田修一 (大阪府大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12p-M111-10  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 経過と目的我々はCZシリコン結晶中の格子間窒素対(NN)による赤外吸収とSIMSや放射化分析を検討し窒素濃度測定法規格を制定した[1]。しかし1014/cm3未満の低濃度のCZ結晶では窒素は主にNO対を形成しshallow thermal...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *結晶 ,  高感度 ,  *光吸収 ,  化学結合 ,  熱処理 ,  Czochralski法 ,  濃度
準シソーラス用語： *シリコン結晶 ,  *赤外吸収 ,  N-O結合 ,  CZ法 ,  窒素濃度

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン結晶 ,  高感度 ,  赤外吸収 ,  赤外 ,  欠陥 ,  動力学 ,  NO ,  熱処理 ,  挙動