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J-GLOBAL ID：201902267624542481   整理番号：19A0299183

量子Hall領域におけるHBN/グラフェン/HBNの量子点接触を通る電子輸送に対するギャップ幅の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of gap width on electron transport through quantum point contact in hBN/graphene/hBN in the quantum Hall regime

著者 (11件)： Ahmad Nurul Fariha (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Iwasaki Takuya (International Center for Young Scientists, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Komatsu Katsuyoshi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Mizuta Hiroshi (School of Material Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa 923-1211, Japan) ,  Wakayama Yutaka (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Hashim Abdul Manaf (Malaysia-Japan International Institute of Technology, Universiti Teknologi Malaysia, Jalan Sultan Yahya Petra, 54100 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Morita Yoshifumi (Faculty of Engineering, Gunma University, Kiryu, Gunma 376-8515, Japan) ,  Moriyama Satoshi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nakaharai Shu (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 2  ページ： 023101-023101-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,量子Hall領域におけるhBN/グラフェン/hBNの高移動度量子点接触(QPC)素子における量子化電子輸送を調べた。本研究は,主にエッジチャネル操作に及ぼす分割ゲートのギャップ幅の影響に焦点を合わせて,それはQPC構造とその静電ポテンシャル分布を定義した。量子化コンダクタンスはQPCにおけるエッジチャネル通過または後方散乱の動力学により支配され,これはトップゲートおよびバックゲートバイアスの両方により制御される。エッジチャネル操作に及ぼす分割ゲートギャップ幅とQPCの充填の影響を実験的に検証した。実験結果は,異なるゲートギャップ幅をもつQPC周辺のエッジチャネルの開/閉配置の理論的予測と一致した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 予測 ,  チャネル ,  *グラフェン ,  量子化 ,  後方散乱
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  トップゲート ,  量子コンダクタンス ,  静電ポテンシャル ,  スプリットゲート ,  高移動度 ,  *電子輸送 ,  *量子点接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子 ,  グラフェン ,  量子点接触 ,  電子輸送 ,  ギャップ幅