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J-GLOBAL ID：201902267715629528   整理番号：19A1416271

再結合再解釈のABCモデル:InGaN/GaN発光ダイオードにおけるキャリア輸送と効率低下の理解への影響【JST・京大機械翻訳】

The ABC model of recombination reinterpreted: Impact on understanding carrier transport and efficiency droop in InGaN/GaN light emitting diodes

著者 (5件)： Hopkins M. A. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath, United Kingdom) ,  Allsopp D. W. E. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath, United Kingdom) ,  Kappers M. J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom) ,  Oliver R. A. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom) ,  Humphreys C. J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 23  ページ： 234505-234505-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)の効率は,照明で消費されるエネルギー量を低減する可能性のために,大きな現代的関心の話題となっている。現在のコンセンサスは,電子と正孔がドリフト拡散過程により発光領域を通してそれ自身を分布し,発光の高度に不均一な分布をもたらし,効率を低減できるということである。本論文では,異なる数の量子井戸(QW)をもつInGaN/GaN LEDの外部量子効率の測定変動を,電気的に注入した電子と正孔が多重量子井戸(MQW)領域を通して均一に分布していると仮定した。したがって,キャリア再結合はすべての量子井戸において等しく起こると仮定した。報告された結果の意味は,ドリフト-拡散が以前に考えられていたよりも交差井戸キャリア輸送においてはるかに少ない役割を果たしていることである。効率低下の主な原因は量子井戸に固有であり,MQWにおける非放射再結合中心の密度の減少は,より多くのQWの使用を可能にし,それにより,より広い発光領域を横切ってより均等にキャリアを拡散させることによりAuger損失を減少させる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドリフト ,  正孔 ,  *発光ダイオード ,  多重量子井戸 ,  量子井戸 ,  *再結合 ,  キャリア再結合 ,  *窒化ガリウム ,  *発光
準シソーラス用語： 非放射再結合 ,  外部量子効率 ,  ドリフト拡散 ,  *性能劣化 ,  *キャリア輸送 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ABC ,  モデル ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  キャリア輸送 ,  効率低下 ,  理解