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J-GLOBAL ID：201902267728269205   整理番号：19A1577468

レーザスライシング:GaNオンGaN技術のための薄膜リフトオフ法【JST・京大機械翻訳】

Laser slicing: A thin film lift-off method for GaN-on-GaN technology

著者 (14件)： Voronenkov Vladislav (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Voronenkov Vladislav (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia) ,  Bochkareva Natalia (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia) ,  Gorbunov Ruslan (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Gorbunov Ruslan (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia) ,  Zubrilov Andrey (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Zubrilov Andrey (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia) ,  Kogotkov Viktor (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Latyshev Philipp (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Lelikov Yuri (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Lelikov Yuri (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia) ,  Leonidov Andrey (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Shreter Yuri (TRINITRI-Technology LLC, St Petersburg, Russia) ,  Shreter Yuri (Ioffe Institute, St Petersburg, Russia)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 13  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクGaN内部に集束したフェムト秒レーザを用いて,バルクGaN基板からエピタキシャル素子構造をもつGaN薄膜をスライスした。実証したレーザスライシングリフトオフ過程はエピタキシャル構造に特別な放出層を必要としなかった。5μmの厚さとInGaN LEDエピタキシャル素子構造をもつGaN膜をGaN基板上に浮上させ,銅基板上に転写した。レーザスライシングリフトオフ後のLEDチップのエレクトロルミネセンスを実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フェムト秒レーザ ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  エレクトロルミネセンス ,  *レーザ ,  *薄膜
準シソーラス用語： *スライシング ,  銅基板 ,  InGaN ,  *リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： レーザスライシング ,  リフトオフ ,  InGaN LED ,  GaNオンGaN

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  量子光学一般  (BD04010X) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  スライシング ,  GaN ,  薄膜 ,  リフトオフ法