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J-GLOBAL ID:201902268103081428   整理番号:19A2091381

異種集積のための半加法プロセスに基づくサブミクロンスケールCu RDLパターン形成【JST・京大機械翻訳】

Submicron-Scale Cu RDL Pattering Based on Semi-Additive Process for Heterogeneous Integration
著者 (4件):
資料名:
巻: 2019  号: ECTC  ページ: 94-100  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半添加プロセスにおけるCuシード層の湿式エッチングよりも乾式プラズマエッチングの使用は,トレースの幅のシフトによるサブミクロンスケールのCuトレースのパターン形成におけるより正確な寸法制御性を可能にした。この制御性は,損傷ベースのCu再分布層のような競合的な製造技術のそれに匹敵する。乾式エッチングにより,痕跡間の電気的短絡のようないかなる故障もなく,4.2(L/S=0.7/0.7μm,高さ3.0μm)のアスペクト比でCuトレースのパターン形成が可能になった。シミュレーションは,アスペクト比の増加が,導体損失の減少により,信号伝送損失を効果的に低減することを示した。乾燥エッチングはCu痕跡側壁(粗さ0.05μm)上に非常に滑らかな表面を与えた。これにより,湿式エッチングしたCuトレースと比較して,信号伝送損失をさらに低減した。ドライエッチングを用いたCuトレースのサブミクロンスケールのパターン形成は,信号の完全性の観点から再分布層ラインの柔軟な設計を可能にし,さらに,信号のI/Oコストの数を効果的に増加させることができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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図形・画像処理一般  ,  電子航法一般 
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