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J-GLOBAL ID：201902268206786491   整理番号：19A2901898

イオン注入GaNエピ層における格子無秩序とN元素偏析【JST・京大機械翻訳】

Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer

著者 (13件)： Li B.S. (State Key Laboratory for Environment-friendly Energy Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Li B.S. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China) ,  Liu H.P. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China) ,  Xu L.J. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China) ,  Wang J. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Song J. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Peng D.P. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Li J.H. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Zhao F.Q. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Kang L. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China) ,  Zhang T.M. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China) ,  Tang H.X. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China) ,  Xiong An.L. (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 499  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 450°Cにおける4×10~16He+/cm~2のフルエンスでのHe注入GaNエピ層における格子無秩序と元素分布を,通常の高分解能透過型電子顕微鏡と電子エネルギー損失分光法の組み合わせにより調べた。高分解能透過型電子顕微鏡は,He気泡に付着した格子間型転位ループを示した。転位ループと積層欠陥の性質を高分解能透過型電子顕微鏡で注意深く調べた。Electronエネルギー損失分光法は,損傷領域に形成されたN原子と富化Gaナノ結晶の欠損を示し,これは以前の報告と同程度である。さらに,He+注入による窒素の化学的環境を最初に本実験結果で調べた。研究結果は,GaNにおけるイオン照射誘起損傷を理解するために使用されるであろう。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  転位ループ ,  *偏析 ,  電子顕微鏡観察 ,  ヘリウム ,  窒素 ,  積層欠陥 ,  気泡 ,  *ガリウム ,  エネルギー損失 ,  *イオン注入 ,  イオン照射 ,  *窒化ガリウム ,  ナノ結晶 ,  フルエンス

著者キーワード (5件)： He注入 ,  格子無秩序 ,  GaN ,  透過型電子顕微鏡 ,  転位ループ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  GaN ,  エピ層 ,  格子 ,  元素 ,  偏析