文献

J-GLOBAL ID：201902268755810488   整理番号：19A1522603

H/Fe₃O₄(001)膜表面における電子移動誘起金属の電子状態

Electron-transfer-induced metallic electronic states in a H/Fe₃O₄(001) film subsurface

著者 (4件)： HIURA Satoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUBAGYO Agus (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MURAYAMA Akihiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUEOKA Kazuhisa (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 5  ページ： 055502.1-055502.5  発行年： 2019年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡/分光法(STS)を用いて,H/Fe₃O₄(001)膜表面におけるFe原子の局所電子特性を調べた。局所障壁高さ測定は局所仕事関数の水素吸着誘起還元を示し,水素から表面原子への電子移動を示した。STSの結果とFermi準位近傍の占有状態密度の高分解能空間マッピングは,OH基の下に位置する表面下Fe原子が,固有の表面下Fe原子の半導体状態とは異なる金属電子状態を示すことを明らかにした。これらの結果は,表面下層への電子移動の拡張を考慮することによって説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *水素 ,  *酸化鉄 ,  *電子移動 ,  *電子状態 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  表面 ,  鉄 ,  局所性 ,  高さ ,  *吸着 ,  Fermi準位 ,  *状態密度 ,  高分解能 ,  写像 ,  ヒドロキシ基 ,  金属性 ,  スペクトロスコピー ,  *四酸化三鉄 ,  酸化物表面 ,  障壁高さ ,  *水素吸着 ,  *局所状態密度 ,  空間マッピング
準シソーラス用語： OH基

分類 (2件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (31件)：

• A. Yanase and N. Hamada, J. Phys. Soc. Jpn. 68, 1607 (1999).
• Z. Zhang and S. Satpathy, Phys. Rev. B 44, 13319 (1991).
• T. Kado, Appl. Phys. Lett. 92, 092502 (2008).
• M. Opel, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 033001 (2012).
• A. M. Bataille, A. Tagliaferri, S. Gota, C. de Nadaï, J.-B. Moussy, M.-J. Guittet, K. Bouzehouane, F. Petroff, M. Gautier-Soyer, and N. B. Brookes, Phys. Rev. B 73, 172201 (2006).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子移動 ,  誘起 ,  電子状態