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J-GLOBAL ID：201902268896559717   整理番号：19A0397924

0.1μm GaAs PHEMTプロセスを用いたWバンド広帯域低雑音増幅器【JST・京大機械翻訳】

W-band Broadband Low Noise Amplifier Using $0.1-¥mu ¥mathrm{m}$ GaAs pHEMT Process

著者 (3件)： Zhang Jian (Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Lu Yawen (Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Sun Pengfei (Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISAPE  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.1μm GaAsパワーシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(pHEMT)プロセスを用いたWバンド(75~110GHz)広帯域低雑音増幅器(LNA)の設計と実現について述べた。提案したLNAは,全Wバンドにおいて,20dBの小信号利得,5.5dBの雑音指数(NF)を特徴とした。直列CとLおよびシャントCマッチング構成の組合せを採用して,入力リターン損失を最適化した。それは84.0GHzで-13.73dBを達成することができた。全LNAは1.2×1.0mm2で,電流消費は1.5V電源電圧で92mAである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音指数 ,  *HEMT ,  小信号利得 ,  *ヒ化ガリウム ,  マッチング ,  *広帯域 ,  電流 ,  *低雑音増幅器 ,  最適化 ,  電源電圧 ,  *Wバンド ,  改変
準シソーラス用語： *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  PHEMT ,  プロセス ,  Wバンド ,  広帯域 ,  低雑音増幅器