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J-GLOBAL ID：201902268984896525   整理番号：19A2176527

OPV材料中のイオン不純物の新しい測定法【JST・京大機械翻訳】

Novel measurement method of ion impurity in OPV materials

著者 (6件)： Inoue Masaru (TOYOTech LLC, 110 Fremont, CA 94538, U.S.A.) ,  Oyabu Noriaki (TOYOTech LLC, 110 Fremont, CA 94538, U.S.A.) ,  Kumoda Yo (TOYO Corporation, One Technologies Company, Chuo-ku, Tokyo 103-8284, Japan) ,  Suenaga Yu (TOYO Corporation, One Technologies Company, Chuo-ku, Tokyo 103-8284, Japan) ,  Ishii Tomoya (TOYO Corporation, One Technologies Company, Chuo-ku, Tokyo 103-8284, Japan) ,  Naito Hiroyoshi (TOYO Corporation, One Technologies Company, Chuo-ku, Tokyo 103-8284, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： AM-FPD  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1993年以来の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイのスクリーニングと最適化のために開発された過渡電流測定法を用いて,有機光起電力(OPV)材料中のイオン不純物の濃度の測定を実証した。イオン不純物はOPV素子の効率と寿命に影響し,イオン不純物の濃度とOPV特性の間に顕著な相関があると推測した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  光起電力 ,  液晶ディスプレイ ,  最適化 ,  *イオン ,  *不純物
準シソーラス用語： 過渡電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン ,  不純物 ,  測定法