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J-GLOBAL ID：201902269022166356   整理番号：19A0510784

高コモンモード電圧過渡免疫による低ジッタGaN E-HEMTゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】

Low-Jitter GaN E-HEMT Gate Driver With High Common-Mode Voltage Transient Immunity

著者 (3件)： Mauerer Mario (Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland) ,  Tuysuz Arda (Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland) ,  Kolar Johann W. (Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 64  号： 11  ページ： 9043-9051  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20ps以下のパワーステージの出力で信号ジッタを低減することにより,高精度スイッチモード(クラスD)電力増幅器の出力雑音を大幅に低減する改良ゲートドライバを示した。電力出力に広帯域雑音を導入する電力電子変換器のゲート信号ジッタは,主に信号アイソレータから生じる。これは,電気的に絶縁されたゲートドライバ制御信号を提供するために必要である。ジッタゲート制御信号を再同期化するために,低ジッタ分離クロックを用いたディジタルフリップフロップを採用することにより,低ジッタゲート制御信号を生成した。フリップフロップのクロック可能入力を利用することにより,ゲートドライバは,高速スイッチングGaN E-HEMTトランジスタを採用した。これは,400Vスイッチング過渡が300k Vμs-1を超える高速スイッチングGaN E-HEMTトランジスタを採用した。正弦波出力信号の信号対雑音比を107dBで測定し,従来のゲートドライバの性能と比較して約20dB改善した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 制御信号 ,  高速度 ,  電力増幅器 ,  *ジッタ ,  正弦波 ,  クロック ,  広帯域 ,  雑音 ,  スイッチング ,  電力 ,  ディジタル方式 ,  変換器 ,  アイソレータ ,  SN比 ,  双安定回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： コモンモード電圧 ,  免疫 ,  低ジッタ ,  GaN ,  HEMT ,  ゲート ,  ドライバ