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J-GLOBAL ID：201902269281325284   整理番号：19A1384890

FinFETのアナログ性能に及ぼすサブ10nmフィン幅の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Sub-10nm Fin-widths on the Analog Performance of FinFETs

著者 (7件)： Bhoir Mandar S. (Indian Institute of Technology Gandhinagar, India) ,  Mohapatra Nihar R. (Indian Institute of Technology Gandhinagar, India) ,  Chiarella Thomas (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Ragnarsson Lars Ake (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Mitard Jerome (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Terzeiva Valentina (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (IMEC, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDTM  ページ： 7-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,nFinFETのアナログ性能に及ぼすサブ10nm領域におけるfm幅(W_フィン)スケーリングの影響を実験的に調べた。デバイストランスコンダクタンス(g_m)が劣化し,出力コンダクタンス(g_ds)がW_フィンの減少により改善されることを示した。サブ10nm W_フィン領域におけるg_mとgdsの可変性に影響を及ぼす様々なソースも調査した。異なるアナログ性能計量を通して,より薄いフィンFinFETのアナログ性能がS/D抵抗とゲート誘電体を適切に最適化することによってさらに増加できることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲート絶縁膜 ,  *フィン ,  *アナログ系 ,  最適化 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  アナログ ,  サブ ,  フィン