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J-GLOBAL ID：201902269313237380   整理番号：19A1453531

モノリシック成長とウエハボンディングによるInPオンSi光ポンプマイクロディスクレーザ【JST・京大機械翻訳】

InP-on-Si Optically Pumped Microdisk Lasers via Monolithic Growth and Wafer Bonding

著者 (8件)： Mauthe Svenja (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Vico Trivino Noelia (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Baumgartner Yannick (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Sousa Marilyne (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Caimi Daniele (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Stoferle Thilo (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Schmid Heinz (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Moselund Kirsten Emilie (IBM Research-Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 25  号： 6  ページ： ROMBUNNO.8300507.1-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップ光光源はフォトニック集積回路と光通信における重要な要素である。本論文では,シリコン上にInPマイクロディスクレーザをモノリシック集積するために,テンプレート支援選択エピタクシー(TASE)と呼ばれる新しい集積技術を用いた。TASEは,横方向ドーピング,異なるIII-V材料の高密度共集積,およびシリコンエレクトロニクスと受動部品との面内集積のような新しいデバイス概念に対するいくつかの利点を提供する。ここでは,TASEを介して集積したInP六方晶マイクロディスクからの室温レーザ発振を実証した。TASEの実行可能性を評価し評価するために,第二のInP六方晶マイクロディスク試料を,高度に開発され,成熟した直接ウエハボンディング技術を用いて比較するために調製した。温度の関数としてパルス光ポンピング下で,TASEモノリシック素子と結合マイクロディスクデバイスのレーザ発振性能を調べた。著者らのTASE構造のレーザ発振閾値と光ルミネセンス曲線は,結合したInP六方晶系マイクロディスクに匹敵する。これは,著者らのTASEアプローチがSi上の光学素子のモノリシック集積のための有望な技術であることを実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  六方晶系 ,  レーザ発振 ,  電子技術 ,  光源 ,  *リン化インジウム ,  ドーピング ,  光集積回路 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *マイクロディスク ,  受動素子 ,  モノリシック集積化 ,  *マイクロディスクレーザ ,  オンチップ ,  *ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長 ,  ウエハボンディング ,  InP ,  Si ,  マイクロディスクレーザ