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J-GLOBAL ID：201902269360953464   整理番号：19A0182728

高品質グラフェンの実用的製造のための繰返し使用サファイア上のCuの10秒エピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Ten-Second Epitaxy of Cu on Repeatedly Used Sapphire for Practical Production of High-Quality Graphene

著者 (7件)： Nagai Yukuya (Department of Applied Chemistry, Waseda University) ,  Okawa Asahi (Department of Applied Chemistry, Waseda University) ,  Minamide Taisuke (Department of Applied Chemistry, Waseda University) ,  Hasegawa Kei (Department of Applied Chemistry, Waseda University) ,  Sugime Hisashi (Waseda Institute for Advanced Study, Waseda University, Japan) ,  Noda Suguru (Department of Applied Chemistry, Waseda University) ,  Noda Suguru (Research Institute for Science and Engineering, Waseda University)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 2  号： 7  ページ： 3354-3362  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル銅(Cu)膜は優れた品質を有するが高コストでグラフェンを生成する。c面サファイア基板上に10~30sで作製した厚さ1~3μmのエピタキシャルCu膜を報告した。これは典型的なスパッタリング法のそれよりもはるかに速い。そのような急速な堆積は,1700~1800°Cに加熱したCu源を用いた蒸着によって実現され,それは1085°Cの融点よりはるかに高い。化学蒸着によりエピタキシャルCu上に二層または単層のいずれかの連続グラフェン膜を得て,キャリア基板に移した。サファイア基板はエピタキシャルCu膜とグラフェンの品質を維持して5~6倍再利用できる。再利用サファイア上のCuのこのような迅速なエピタクシーに対して,低コストで高品質のグラフェン生産を可能にする機構と要件を論じた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  単一層 ,  融点 ,  *サファイア ,  スパッタ蒸着 ,  基板 ,  高速度 ,  化学蒸着 ,  *品質 ,  再利用 ,  *グラフェン ,  *銅
準シソーラス用語： ローコスト ,  二層 ,  サファイア基板 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高品質 ,  グラフェン ,  繰返し使用 ,  サファイア ,  Cu ,  エピタクシー