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J-GLOBAL ID：201902269955018483   整理番号：19A1811723

低温平行平板誘電体バリア放電システムにおけるエチレンエポキシ化:酸素源の影響【JST・京大機械翻訳】

Ethylene Epoxidation in a Low-Temperature Parallel Plate Dielectric Barrier Discharge System: Effect of Oxygen Source

著者 (3件)： Suttikul Thitiporn (Division of Chemical Process Engineering Technology, Faculty of Engineering and Technology, King Mongkut’s University of Technology North Bangkok, Thailand) ,  Chavadej Sumaeth (The Petroleum and Petrochemical College, Chulalongkorn University, Thailand) ,  Chavadej Sumaeth (Center of Excellence on Petrochemical and Materials Technology, Chulalongkorn University, Thailand)
資料名： Industrial & Engineering Chemistry Research  (Industrial & Engineering Chemistry Research)
巻： 56  号： 44  ページ： 12547-12555  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0385C  ISSN： 0888-5885  CODEN： IECRED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,二つの異なる酸化剤[二酸化窒素(N_2O)と空気]が,室温と大気圧の下で誘電体バリア材料として二つのフロストガラス板を持つ低温平行平板誘電体バリア放電(DBD)システムにおけるエチレンエポキシ化性能に及ぼす影響を調べることであった。0.5のエチレン(C_2H_4)供給位置分率を有する別々の供給技術を用いて,すべての望ましくない反応を減少させて,エチレンオキシド(EO)生産(選択性と収率)を最大化した。N_2O/C_2H_4供給モル比が0.17:1のN_2O系は,純粋なO_2および空気と比較して,非常に低い一酸化炭素選択性および最低消費電力を示し,それぞれ,0.2:1および0.1:1の最適供給モル比で,酸化剤系としての最高のエチレンエポキシ化性能(80.1%EO選択性および21.9%EO収率)を示した。興味深いことに,N_2OによるDBDシステムからのEO収率は,O_2と空気システムのものよりおよそ2倍高かった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *無声放電 ,  霜 ,  二酸化窒素 ,  *低温 ,  一酸化炭素 ,  *エポキシ化 ,  板ガラス ,  モル比 ,  *誘電体 ,  アルケン
準シソーラス用語： 低電力化 ,  *平行板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I)

物質索引 (1件)： エチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  平行平板 ,  誘電体バリア放電 ,  エチレン ,  エポキシ化 ,  酸素