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J-GLOBAL ID：201902270233951720   整理番号：19A0016742

単結晶h-BNゲート誘電体を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric

著者 (9件)： Sasama Yosuke (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Komatsu Katsuyoshi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Moriyama Satoshi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Imura Masataka (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Teraji Tokuyuki (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Uchihashi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Takahide Yamaguchi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 6  号： 11  ページ： 111105-111105-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは高温で動作し,非常に高い電場に耐える広いバンドギャップ半導体である。それは,その物理的安定性を通して厳しい環境を耐えて,熱を非常によく伝導する。これらの特性はユニークな電子デバイスの作製に適したダイヤモンドを作る。特に,ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)は,列車や電気自動車用の高出力コンバータや,電気通信やレーダ用の高出力高周波増幅器を含む有望な応用がある。これらの応用には高い移動度が望ましいが,特にキャリア密度が高いとき,ダイヤモンドFETでは達成することは困難である。低移動度は,おそらく非理想的非晶質ゲート誘電体と誘電体/ダイヤモンド界面における固定と捕獲電荷に起因すると思われる。ここでは,ゲート誘電体として単結晶六方晶窒化ホウ素(h-BN)を有するダイヤモンドFETについて報告する。単結晶h-BNにおける低密度の荷電不純物により,適度に高いキャリア密度(>5×10~12cm-2)に対して,非常に高い移動度(>300cm~2V~-1s-1)を得た。得られた最小シート抵抗は例外的に低かった(<3kΩ)。著者らの結果は,単結晶h-BNとダイヤモンドから成るヘテロ構造が,高性能電子デバイスを製造するための優れたプラットフォームであることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *ダイヤモンド ,  電場 ,  *誘電体 ,  変換器 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *移動度 ,  界面 ,  半導体 ,  高温 ,  *単結晶 ,  キャリア密度 ,  バンドギャップ ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶 ,  h-BN ,  ゲート誘電体 ,  高移動度 ,  ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ