EUVと自己整合ゲート接触により可能になった連続拡散によるチップ可変性緩和【JST・京大機械翻訳】

Badel Stephane; Xu Miao; Ma Xiaolong; Yang Wen; Zheng Wei; Zhang Xiangqiang; Lin Meng; Yu Yong; Wei Wei; Zeng Qiuling; Chen Zanfeng; Zou Xiaowei; Wong Waisum; Liu Yanxiang; Paak Sunhom Steve; Xia Yu

文献

J-GLOBAL ID：201902270975294340 整理番号：19A0036939

EUVと自己整合ゲート接触により可能になった連続拡散によるチップ可変性緩和【JST・京大機械翻訳】

Chip Variability Mitigation through Continuous Diffusion Enabled by EUV and Self-Aligned Gate Contact

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資料名：
巻： 2018 号： ICSICT ページ： 1-3 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

拡散破壊(DB)誘起レイアウト効果は,チップVminとIddqに対するデバイス可変性と劣化器に対する主要な責任の一つである。最初に,種々のタイプの拡散破壊からの性能と漏れの影響をデバイスとチップの臨界経路レベルで定量化した。ゲートタイダウンによる連続拡散は,優れたN/Pバランスとレイアウト効果によって引き起こされたより低い変動性のために最良の選択として現れる。先進FinFET技術ノードでの連続拡散を実現するために,セル境界での注意深い物理的設計が重要である。これは,カラー衝突による接触を解決し,ゲートを拡散漏れリスクに緩和するために自己整合ゲート接触(SAGC)により可能になる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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符号理論 , 図形・画像処理一般 , 専用演算制御装置 , 医用画像処理 , 音声処理

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