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J-GLOBAL ID：201902271642221136   整理番号：19A0549549

光ルミネセンスによる半導体薄膜の吸収係数【JST・京大機械翻訳】

Absorption Coefficient of a Semiconductor Thin Film from Photoluminescence

著者 (9件)： Rey G. (Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  Spindler C. (Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  Babbe F. (Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  Rachad W. (Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  Siebentritt S. (Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg) ,  Nuys M. (Forschungszentrum Juelich GmbH Institut fuer Energie und Klimaforschung, 52425 Juelich, Germany) ,  Carius R. (Forschungszentrum Juelich GmbH Institut fuer Energie und Klimaforschung, 52425 Juelich, Germany) ,  Li S. (Ångstrom Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, 751 21 Uppsala, Sweden) ,  Platzer-Bjorkman C. (Ångstrom Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, 751 21 Uppsala, Sweden)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 9  号： 6  ページ： 064008  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の光ルミネセンス(PL)は,Planckの一般化則を用いてそれらの吸収係数(α)を決定するために用いることができる。ウエハのような自己支持の厚い試料にのみ適した標準法を,基板と任意の前面層の効果を含めるために,移動行列法により多層薄膜に拡張した。PLと光熱偏向分光法(PDS)により種々の薄膜太陽電池吸収体で測定したα値は良い一致を示した。PL測定は半導体吸収に極めて敏感であり,基板からの寄生吸収を有利に回避できる。したがって,αは非常に低い値まで正確に決定でき,分光測光とPDSを含む他の方法よりも高いダイナミックレンジを持つ深いバンドテールを調べることができる。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  *吸収係数 ,  分光測光 ,  *半導体薄膜 ,  ダイナミックレンジ ,  吸収体 ,  多層膜 ,  光熱偏向分光法 ,  基板 ,  *光ルミネセンス ,  転送行列
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光ルミネセンス ,  半導体薄膜 ,  吸収係数