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J-GLOBAL ID：201902272074566385   整理番号：19A1924316

Nd:YAGレーザを用いた炭化ケイ素の急速反応焼結

Rapid reaction sintering of silicon carbide using Nd:YAG laser

著者 (2件)： SUEHIRO Satoshi (Materials Research and Development Laboratory, Japan Fine Ceramics Center) ,  KIMURA Teiichi (Materials Research and Development Laboratory, Japan Fine Ceramics Center)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 127  号： 7  ページ： 504-506(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 加熱源として連続波Nd:YAGレーザを用いた炭化ケイ素(SiC)の反応焼結を調査した。にレーザを用いて,Arガス気流下でSiとCの化学量論的粉末混合物のペレットを照射した。適切なレーザ出力で,100~500nmのサイズの結晶粒から成る緻密なSiC層が形成され,この層は数ミクロンの厚さであった。より低いレーザ出力では,SiCの微細粒が形成され,未反応のSi-Cマトリックス中に分散した。一方,より高い出力では,より大きなファセットSiC粒(1~3μm)が形成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： Nd-YAGレーザ ,  *炭化ケイ素 ,  *反応焼結 ,  反応速度 ,  連続レーザ ,  アルゴン ,  雰囲気 ,  化学量論 ,  微粉体 ,  混合物 ,  レーザ出力 ,  ペレット ,  レーザ照射 ,  結晶粒径 ,  緻密化 ,  層厚 ,  ファセット ,  *選択的レーザ焼結 ,  *焼結 ,  *熱処理 ,  *処理
準シソーラス用語： *レーザ焼結

著者キーワード (3件)： 炭化ケイ素 ,  直接レーザ焼結 ,  反応焼結

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

引用文献 (17件)：

• 1) R. Naslain, Compos. Sci. Technol., 64, 155-170 (2004).
• 2) W. J. Clegg, K. Kendall, N. McN. Alford, T. W. Button and J. D. Birchall, Nature, 347, 455-457 (1990).
• 3) S. R. Levine, E. J. Opila, M. C. Halbig, J. D. Kiser, M. Singh and J. A. Salem, J. Eur. Ceram. Soc., 22, 2757-2767 (2002).
• 4) T. Ishikawa, Y. Kohtoku, K. Kumagawa, T. Yamamura and T. Nagasawa, Nature, 391, 773-775 (1998).
• 5) R. Riedel, G. Passing, H. Schönfelder and R. J. Brook, Nature, 355, 714-717 (1992).

タイトルに関連する用語 (4件)： Nd ,  YAGレーザ ,  炭化ケイ素 ,  反応焼結