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J-GLOBAL ID：201902272275783957   整理番号：19A1089162

真空中における接触熱コンダクタンスに関する研究 -接触面の表面粗さの影響-

Study on Thermal Contact Conductance in Vacuum -Effect of Surface Roughness on Contact Surface-

著者 (3件)： 丹藤匠 (法政大学大学院) ,  武井宏平 (法政大学) ,  御法川学 (法政大学大学院)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 85  号： 3  ページ： 290-294(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造プロセスにおいて,ウエハの正確な温度制御が高いプロセス性能を得るために必要である。この目的のために,接触表面粗さと熱接触コンダクタンスの間の関係を,ウエハと真空中のステージの間の接触をシミュレートするための実験装置を用いて評価した。結果として,接触表面間のガス流が自由分子流(K_n>10)であるとき,熱接触コンダクタンスのガス成分は接触表面粗さによって影響されなかったが,ガス圧力に比例した。さらに,接触表面粗さが減少すると,接触表面間のクリアランスの減少により,自由分子流状態は高いガス圧でも維持された。したがって,接触表面粗さを低減し,自由分子流領域において高いガス圧を設定することにより,表面粗さの転換時間に関係しかつ高い熱接触コンダクタンスを有するロバスト接触面を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *半導体 ,  *温度制御 ,  *表面粗さ ,  *コンダクタンス ,  *圧力 ,  *自由分子流
準シソーラス用語： *気体圧力

著者キーワード (8件)： 熱接触コンダクタンス ,  真空 ,  表面粗さ ,  ウエハ温度 ,  熱接触コンダクタンス ,  真空 ,  表面粗さ ,  ウエハ温度

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (17件)：

• 1) 菅井秀郎, 大江一行: プラズマエレクトロニクス, オーム社, (2005) 131.
• 2) H. Abe, M. Yoneda, N. Fujiwara: Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices, Jpn J Appl Phys, 47, 3 (2008) 1435.
• 3) S. Hwang, K. Kanarin: Evolution of across-wafer uniformity control in plasma etch, Solid State Technology, JULY, (2016) 16.
• 4) C. Lee, Y. Yamaguchi, F. Lin, K. Aoyama, Y. Miyamoto, V. Vahedi: Center to Edge Uniformity Control to Meet the Challenges of Sub 65 nm Advanced Si Etch, Proc. Symp. Dry Process, (2003) 111.
• 5) 野尻一男: はじめての半導体ドライエッチング技術, 技術評論社, (2012) 88.

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱コンダクタンス ,  研究 ,  接触面 ,  表面粗さ