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J-GLOBAL ID：200902258425005668   整理番号：08A0565422

半導体素子製造用のプラズマエッチング技術の開発

Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices

著者 (3件)： ABE Haruhiko (LTEC Corp., Hyogo, JPN) ,  YONEDA Masahiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  FUJIWARA Nobuo (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 3 Issue 1  ページ： 1435-1455  発行年： 2008年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性イオンエッチング(RIE),等方的エッチング,灰化/プラズマ洗浄などのプラズマエッチング技術はスケール則に基づく全ての珪素素子の製造のためのブースタ技術として現在用いられている。本論文ではエッチング工程からプラズマ/ドライエッチング工程への必要にせまられた転換について解説した。素子製造に必要条件の観点からプラズマエッチング技術の発展を記述した。RIE,等方的エッチング,プラズマ灰化/洗浄を用いて高アスペクト比の接触(HARC),ゲートスタック,ウエハプロセス前工程(FEOL)における浅型トレンチアイソレーション(STI)の精密に制御されたプロファイルの形成,及びウエハプロセス後工程(BEOL)における確実なCu/低k相互接続に用いる精密なバイアホールやトレンチの形成について詳しく述べた。RIEラグ効果のようなRIE工程に固有の幾つかの重要な問題点,ノッチ現象,帯電損傷のようなプラズマ誘起損傷について述べた。RIEの基本反応機構と等方的エッチングを論じた。プラズマ反応器の構成に強く依存するエッチング工程の手順を提案した。リーディングエッジ素子のゲートパターンのより精密なクリティカルディメンジョン(CD)制御のために,先端的プロセス制御が効果的であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  半導体素子 ,  エッチング ,  *RIE【エッチング】 ,  洗浄 ,  プラズマ処理 ,  ドライエッチング ,  バイアホール ,  アイソレーション【IC】 ,  トレンチカット【加工】 ,  長さ ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： 等方的エッチング ,  反応性イオンエッチング ,  プラズマ洗浄 ,  ゲートスタック ,  STI ,  クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (207件)：

• G. E. Moore: Electronics 38(1965)114.
• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
• S. M. Irving: Proc. Kodak Photoresist Seminar 2, 1968, p. 26.
• S. M. Irving: Solid State Technol.14(1971)47.
• S. M. Irving: U. S. Patent 3615956(1971).

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体素子製造 ,  プラズマエッチング技術 ,  開発