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J-GLOBAL ID：201902272387602636   整理番号：19A0552554

Si(111)[数式:原文を参照]基板上のBi(110)島の構造と成長【JST・京大機械翻訳】

Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)[Formula : see text] substrates

著者 (5件)： Nagase Kentaro (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, J1-3, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Kokubo Ikuya (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, J1-3, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Yamazaki Shiro (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, J1-3, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Nakatsuji Kan (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, J1-3, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Hirayama Hiroyuki (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, J1-3, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 19  ページ： 195418  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄Bi(110)島の構造と成長をSi(111)[数式:原文を参照]基板上で走査トンネル顕微鏡と走査トンネル分光法(STS)により調べた。偶数層と奇数層の高さの島の両方が,1層の厚さの濡れ層上に核形成した。島は,3:1の面積比をもつ奇数層高さにわたってさえ,偶数層高さを優先した。弱い長距離のコルゲーションが島の頂部での原子配列に重なることが観察された。波形のピーク間の平均距離は偶数および奇数層高さの変化に従って振動した。単一および二重層テラスの核形成は,偶数層高さを持つ島上で起こったが,奇数層高さを持つ島上では起こらなかった。単層段丘の単位セルは,下層の高さの島のものと一致した。高さ優先度における不等式と波形の高さ依存性振動は,偶数と奇数層高さの島が異なる構造を有することを示唆した。偶数層高さ島のテラス核形成に対する優位性と安定性は,超薄Bi(110)膜に対する対層積層黒リン(BP)様構造の理論的に予測された安定性と一致した。島STSスペクトル上のテラスにおける単位胞の配列は,奇数層高さBi(110)島に対するBP様/バルク状/BP様サンドイッチ構造を示唆した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  奇数 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  スペクトル ,  段丘 ,  *基板 ,  偶数 ,  下層 ,  核形成 ,  サンドイッチ構造
準シソーラス用語： 単位格子 ,  テラス ,  二重層 ,  原子配列 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  数式 ,  参照 ,  Bi ,  島 ,  成長