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J-GLOBAL ID：201902272592577740   整理番号：19A1414472

MOS_2/多孔質シリコンヘテロ接合に基づく高性能広帯域光検出器【JST・京大機械翻訳】

High performance broadband photodetector based on MoS₂/porous silicon heterojunction

著者 (4件)： Dhyani Veerendra (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India) ,  Dwivedi Priyanka (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India) ,  Dhanekar Saakshi (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India) ,  Das Samaresh (Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 19  ページ： 191107-191107-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直n-MOS_2/p-多孔質シリコンヘテロ構造に基づく高速効率広帯域光検出器を実証した。電気化学的にエッチングした多孔質シリコン上の大面積MoS_2を,スパッタしたMoO_3薄膜の硫化によって成長させた。約10~14Jonesの非常に高い検出能をもつ9A/W(550~850nm)の最大応答性を観測した。過渡測定は約9μsの高速応答時間を示し,高周波(~50kHz)で動作するのに適している。平面シリコン上に作られたもの上の多孔質シリコン上に作られたヘテロ接合の増強された光検出性能を,MoS_2/多孔質シリコン接合におけるより高い界面障壁高さ,優れた光トラッピング特性,およびより大きな接合面積の観点から説明した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多孔質シリコン ,  薄膜 ,  *広帯域 ,  *接合 ,  *ケイ素 ,  光トラッピング ,  *ヘテロ接合 ,  高速度 ,  界面 ,  電気化学 ,  *光検出器
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  高速応答 ,  大面積 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質シリコン ,  ヘテロ接合 ,  高性能 ,  広帯域 ,  光検出器