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J-GLOBAL ID：201902272655145579   整理番号：19A2111956

付着金属パッドを用いた二硫化モリブデンに接触した電極の仕事関数変調【JST・京大機械翻訳】

Work function modulation of electrodes contacted to molybdenum disulfide using an attached metal pad

著者 (3件)： Shimazu Yoshihiro (Department of Physics, Yokohama National University, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Iwabuchi Tatsuya (Department of Physics, Yokohama National University, Yokohama 240-8501, Japan) ,  Arai Kensuke (Department of Physics, Yokohama National University, Yokohama 240-8501, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 8  ページ： 085118-085118-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料を用いて作製した電子素子の輸送特性は電極の接触におけるSchottky障壁によって大きく影響される。Schottky障壁高さは電極の仕事関数と強い相関を示した。電極の一つをAuパッドに付着させた二硫化モリブデンとAl電極のチャネルを持つバックゲート電界効果トランジスタの整流電流-電圧特性を観測した。この結果をAuパッドに付着したAl電極の有効仕事関数の増加によって説明した。バイアス電圧に対する光電流の依存性は電流-電圧特性に対して逆の傾向を示した。これは電極の仕事関数変調にも起因し,Schottky障壁高さの変化をもたらす。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  *付着 ,  *仕事関数 ,  電流電圧特性 ,  整流 ,  *パッド ,  光電流 ,  チャネル ,  FET【トランジスタ】 ,  Schottky障壁 ,  アルミニウム ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  バックゲート ,  輸送特性 ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属パッド ,  二硫化モリブデン ,  仕事関数 ,  変調