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J-GLOBAL ID：201902272679499661   整理番号：19A1375232

不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発

著者 (10件)： 齊藤雄太 (産業技術総合研) ,  畑山祥吾 (東北大 工) ,  YI Shuang (東北大 工) ,  進藤怜史 (東北大 工) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  小林啓介 (原子力発電技術機構) ,  小林啓介 (高知工科大) ,  小林啓介 (名古屋大) ,  須藤祐司 (東北大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W833-10  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 次世代不揮発性メモリの最有力候補の一つとして相変化メモリ(PCRAM)が注目を集めている。実際、最近Intel、Micronが商品化した3D XPointメモリ(商品名:Optane)には、相変化材料(Ge-Sb-Te合金)が用いられており...【本文一部表示】

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  材料 ,  遷移金属化合物 ,  *テルル化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *アンチモン化物 ,  *銅化合物 ,  X線光電子分光法 ,  *電気抵抗
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  相変化材料 ,  硬X線光電子分光法

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性 ,  相変化メモリ ,  遷移金属 ,  カルコゲナイド ,  相変化材料 ,  開発