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J-GLOBAL ID：201902272683764160   整理番号：19A1414435

磁気トンネル接合における磁壁運動に基づく多層記憶装置【JST・京大機械翻訳】

Multilevel storage device based on domain-wall motion in a magnetic tunnel junction

著者 (4件)： Cai Jialin (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Fang Bin (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  Wang Chao (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China) ,  Zeng Zhongming (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 18  ページ： 182410-182410-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合(MTJ)に基づく多層記憶装置について報告した。MTJの自由層における磁壁運動を制御することにより,6つの異なる抵抗状態を観測した。特殊な幾何学的構造を持つ自由層の異なる位置に磁壁をピン止めすることにより実現した。抵抗状態は外部磁場または直流の印加により変調できる。実験結果はマイクロ磁気シミュレーションにより良く説明できた。これらの結果は,この設計が磁気メモリと神経形態システムに応用できることを示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 外部磁場 ,  磁気メモリ ,  *記憶装置 ,  *磁壁 ,  *多層
準シソーラス用語： 神経 ,  マイクロマグネティックシミュレーション ,  自由層 ,  *磁壁移動 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気トンネル接合 ,  磁壁運動 ,  多層 ,  記憶装置