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J-GLOBAL ID:201902273208930305   整理番号:19A0863036

MOVPE成長GaAs:Nδドープ超格子構造における無放射再結合中心の光ルミネセンス特性評価【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N δ-doped superlattice structure
著者 (7件):
資料名:
巻: 89  ページ: 521-527  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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金属有機気相エピタクシー(MOVPE)により成長させたGaAs:Nδドープ超格子(SL)構造における非放射再結合(NRR)中心を二波長励起光ルミネセンス(PL)法により研究した。GaAs伝導帯(1.69eV)またはE_-バンド励起(1.45eV)に対して,0.75,0.80,0.92,0.95eVのエネルギーでのバンドギャップ励起(BGE)光の重ね合わせによるPL強度消光は,GaAs:NδドープSLとGaAs層内のNRR中心の存在を示した。両励起スキームに対して,PL強度のAGE密度とBGE密度依存性を調べた。2つのレベルに基づく再結合モデルを提案し,GaAs:NδドープSLとGaAs層内のNRR中心の実験結果とエネルギー分布を解釈した。欠陥関連パラメータを,速度方程式を解くことにより系統的に推定し,結果を試料に現象論的洞察を与える実験データと適合させた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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