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J-GLOBAL ID：201902273626007423   整理番号：19A0658668

連続および高伝導性金薄膜の熱原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Thermal Atomic Layer Deposition of Continuous and Highly Conducting Gold Thin Films

著者 (6件)： Maekelae Maarit (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland) ,  Hatanpaeae Timo (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland) ,  Mizohata Kenichiro (Division on Materials Physics, Department of Physics, University of Helsinki, Finland) ,  Raeisaenen Jyrki (Division on Materials Physics, Department of Physics, University of Helsinki, Finland) ,  Ritala Mikko (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland) ,  Leskelae Markku (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 14  ページ： 6130-6136  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5種のAu-(III)化合物を合成し,Au薄膜の原子層堆積について評価した。化合物の一つ,Me_2Au-(S_2CNEt_2)は,揮発性で熱的に安定であるが,最適な熱特性を示した。成長実験において,この化合物を120~250°Cの温度でO_3を用いて適用した。自己制限成長は,0.9Å/サイクルの速度で180°Cで確認された。堆積したAu薄膜は均一で,多結晶で,連続的で導電性であった。40nm厚膜の典型的抵抗値は4~16μΩcmで,化学蒸着薄膜では低かった。180°Cで堆積したAu薄膜の化学組成を飛行時間弾性反跳検出分析により分析し,薄膜が少量の不純物で純粋であることを証明した。検出した不純物はO(2.9原子%),H(0.9原子%),C(0.2原子%),N(0.2原子%)であった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不純物 ,  揮発性 ,  *薄膜 ,  *金 ,  化学組成 ,  熱特性 ,  厚膜 ,  多結晶 ,  薄膜成長 ,  導電性
準シソーラス用語： ERD分析 ,  飛行時間 ,  *金膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 金薄膜 ,  原子層堆積