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J-GLOBAL ID：201902273630637762   整理番号：19A0645578

縮退した多結晶AlドープZnO薄膜における無秩序粒界からのElectron散乱【JST・京大機械翻訳】

Electron Scattering from Disordered Grain Boundaries in Degenerate Polycrystalline Al-Doped ZnO Thin Films

著者 (3件)： Minami Tadatsugu (Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi, Ishikawa 921-8501, Japan) ,  Miyata Toshihiro (Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi, Ishikawa 921-8501, Japan) ,  Tokunaga Hiroki (Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi, Ishikawa 921-8501, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 5  ページ： e1700783  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,10~20cm-3のオーダーの電子濃度で作製した多結晶AlドープZnO(AZO)薄膜におけるキャリア輸送に及ぼす不規則粒界からの電子散乱の影響について述べた。種々のマグネトロンスパッタリング蒸着によりガラス基板上に作製した縮退AZO薄膜において,スパッタガス圧と基板温度,基板表面上の位置,及び湿気抵抗試験における曝露時間を変えることにより測定したとき,正の勾配(μ~Hall増加)との移動度キャリア濃度(μ~Hall)が常に得られることが分かった。AZO薄膜におけるキャリア輸送を制限する主な散乱機構は,結晶子間の結晶粒界におけるポテンシャル障壁からの電子の反射に起因する粒界散乱に起因する。測定したμ-Hall-n-Hall関係はMayadasとShatzkes(MS)理論を用いて計算した関係と良く一致した。しかし,半古典的MS理論を縮退半導体に適用するための概念的および他の困難性を考慮しなければならない。この量子理論に基づく研究の結果は,不規則な連続結晶粒からの電子結晶粒界散乱によって誘起されたAnderson局在化に対する正の傾斜μ-Hall-n-Hall関係が属性であることを示している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 湿潤 ,  薄膜成長 ,  *結晶粒界 ,  *薄膜 ,  *多結晶 ,  スパッタ蒸着 ,  電子散乱 ,  *縮退 ,  結晶粒 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  ポテンシャル障壁 ,  Anderson局在 ,  *結晶 ,  *散乱 ,  キャリア輸送

著者キーワード (6件)： Anderson局在化 ,  AlドープZnO ,  アゾ ,  キャリア輸送 ,  電子散乱 ,  薄膜

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 縮退 ,  多結晶 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  粒界 ,  散乱