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J-GLOBAL ID:201902273790207568   整理番号:19A2725063

N,S共ドープ炭素層の被覆効果によるIn_2O_3中空球の著しく増強された光触媒性能【JST・京大機械翻訳】

Significantly enhanced photocatalytic performance of In2O3 hollow spheres via the coating effect of an N,S-codoped carbon layer
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資料名:
巻:号: 44  ページ: 25423-25432  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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典型的な触媒プロセスは,一般的に拡散,吸着および表面反応から成り,触媒設計のために完全に考慮する必要がある。本論文において,N,S共ドープ炭素層被覆In_2O_3ナノ粒子から組み立てた中空球(N,S-C/In_2O_3HSs)を合成した。その中で,多孔質構造は反応物質分子の拡散チャネルを提供し,N,S共ドープ炭素層は光生成キャリアの分離効率を強化し,中空構造は活性部位の量を改善し,光利用効率を強化した。得られたN,S-C/In_2O_3HSは,青色光照射下でアリールボロン酸の異常な光触媒酸化的ヒドロキシル化を示した。理論計算から,炭素層はアリールボロン酸反応物の吸着を強化するだけでなく,アリールボロン酸中のホウ素原子を活性化することが分かった。本研究は,炭素層が無機半導体光触媒と有機反応物分子の間の媒体として使用でき,したがって,選択的有機合成の分野における無機半導体光触媒の応用範囲を促進することを示した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  炭素とその化合物 
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