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J-GLOBAL ID：201902273891581632   整理番号：19A1888200

酸素空孔を有するBiVO_4アノード上の光電気化学的酸素発生反応機構への理論的洞察【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Insight into the Mechanism of Photoelectrochemical Oxygen Evolution Reaction on BiVO₄ Anode with Oxygen Vacancy

著者 (6件)： Hu Jun (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Hu Jun (School of Chemical Engineering, Northwest University, P. R. China) ,  Zhao Xin (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Chen Wei (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Su Haibin (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Chen Zhong (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 34  ページ： 18702-18709  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素発生反応(OER)は光電気化学(PEC)水分解過程における律速段階である。本論文において,PEC水分解のためのBiVO_4光アノードに及ぼす酸素空格子点(O_vac)の影響を第一原理計算を用いて研究した。結果は,電極/電解質界面におけるホール移動が,表面触媒活性の決定において,そして,BiVO_4光アノードの機能特性の決定において,明確な役割を果たすことを示した。光アノードの表面上のOERの増強の背後に2つの主な理由がある。最初に,VサイトはPEC水分解の活性サイトになり,活性サイトの数は酸素空孔を誘導することにより大きく増加した。第二に,H_2O_ads,OH_ads,およびO_adsの吸着エネルギーはO_vacの存在下で高く,それは光アノード表面から電解質への増強された正孔移動を意味する。Gibbs自由エネルギーの変化は電解質への自発的電荷移動の高い可能性を示し,O_vacによる表面上のOERを促進する。これらの結果は,光触媒反応のためのBiVO_4表面上のO_vacの役割に関する重要な洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アノード ,  正孔 ,  電解質 ,  Gibbs自由エネルギー ,  活性部位 ,  電荷移動 ,  界面 ,  律速 ,  *光電気化学 ,  触媒活性 ,  計算
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  光アノード ,  水分解 ,  *酸素発生反応 ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素空孔 ,  アノード ,  光電気化学 ,  酸素発生反応 ,  理論 ,  洞察