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J-GLOBAL ID：201902274072903753   整理番号：19A0528016

水平電流バイポーラトランジスタ(HCBT)のホットキャリア誘起劣化の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of hot carrier-induced degradation of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT)

著者 (3件)： Zilak J. (University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Department of Electronics, Microelectronics, Computing and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Croatia) ,  Koricic M. (University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Department of Electronics, Microelectronics, Computing and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Croatia) ,  Suligoj T. (University of Zagreb, Faculty of Electrical Engineering and Computing, Department of Electronics, Microelectronics, Computing and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Croatia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 77-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電子とホットホールの相対的寄与を,Horizontal電流双極トランジスタ(HCBT)の信頼性劣化に対するTCADシミュレーションにより調べた。逆バイアスエミッタベース(EB)と混合モード応力測定によって得られたベース電流(IB)劣化は,HCBTのエミッタn+ポリシリコン領域の上と下のシリコン-酸化物界面におけるホットキャリア誘起界面トラップ発生によって引き起こされる。シミュレーション解析を,種々のn-コレクタドーピングプロファイルとn-ヒルシリコン側壁表面処理を有するHCBT構造に関して実行した。使用したラッキー電子注入モデルは,損傷の原因となるホットキャリア型を区別し,HCBT信頼性挙動を予測することを可能にした。逆バイアスEB応力下のトラップの大部分は上部界面に位置し,ホットホールにより引き起こされるが,高温電子は混合モード応力下でトラップを生成し,主に底部界面に位置することを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  信頼性 ,  *バイポーラトランジスタ ,  *ホットキャリア ,  表面処理 ,  酸化物 ,  界面 ,  混合モード ,  *電流 ,  ホットエレクトロン
準シソーラス用語： 電子注入 ,  界面トラップ ,  逆バイアス ,  TCAD ,  ホットホール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： バイポーラトランジスタ ,  ホットキャリア ,  誘起 ,  解析